Name: DMN2992UFB4-7B
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMN2992UFB4-7BTR-ND
Price: 0.20539 CHF
Availability: InStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

DMN2992UFB4-7B
Codice DigiKey	31-DMN2992UFB4-7BTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 31-DMN2992UFB4-7BCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 31-DMN2992UFB4-7BDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMN2992UFB4-7B
Descrizione	MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 20 V 830mA (Ta) 380mW (Ta) A montaggio superficiale X2-DFN1006-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Filtra prodotti simili

Mostra attributi vuoti

Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 1V a 250µA
Produttore Diodes Incorporated	Carica del gate (Qg) max a Vgs 0.41 nC @ 4.5 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±8V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 15.6 pF @ 16 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 380mW (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 20 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 830mA (Ta)	Contenitore del fornitore X2-DFN1006-3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 1,8V, 4,5V	Contenitore/involucro 3-XFDFN
RDSon (max) a Id, Vgs 990mohm a 100mA, 4,5V	Codice componente base DMN2992

Segnala un errore nelle informazioni sul prodotto

Documenti e risorse multimediali

Classificazioni ambientali e di esportazione

Altre risorse

In magazzino: 582

Controlla eventuali scorte in arrivo aggiuntive

Quantità

Tutti i prezzi sono in CHF

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)