Name: DMN2992UFB4Q-7B
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMN2992UFB4Q-7BTR-ND
Price: 0.19458 CHF
Availability: OutOfStock

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Diodes Incorporated

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DMN2992UFB4Q-7B
Codice DigiKey	31-DMN2992UFB4Q-7BTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 31-DMN2992UFB4Q-7BCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 31-DMN2992UFB4Q-7BDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMN2992UFB4Q-7B
Descrizione	MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 20 V 830mA (Ta) 380mW (Ta) A montaggio superficiale X2-DFN1006-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 0.41 nC @ 4.5 V
Produttore Diodes Incorporated	Vgs (max) ±8V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 15.6 pF @ 16 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 380mW (Ta)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 20 V	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 830mA (Ta)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 1,8V, 4,5V	Contenitore del fornitore X2-DFN1006-3
RDSon (max) a Id, Vgs 990mohm a 100mA, 4,5V	Contenitore/involucro 3-XFDFN
Vgs(th) max a Id 1V a 250µA	Codice componente base DMN2992

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
DMN2992UFB4-7B	Diodes Incorporated	582	31-DMN2992UFB4-7BCT-ND	Fr. 0.19000	Equivalente parametrico

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Nastrato in bobina (TR)

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Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 0.18000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 0.19458

DMN2992UFB4Q-7B