Name: DMN3060LVT-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMN3060LVT-7TR-ND
Price: 0.55131 CHF
Availability: InStock

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DMN3060LVT-7
Codice DigiKey	31-DMN3060LVT-7TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 31-DMN3060LVT-7CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 31-DMN3060LVT-7DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMN3060LVT-7
Descrizione	MOSFET 2N-CH 30V 3.6A TSOT26
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 30V 3,6 A (Ta) 830mW A montaggio superficiale TSOT-26

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	Vgs(th) max a Id 1,8V a 250µA
Produttore Diodes Incorporated	Carica del gate (Qg) max a Vgs 11,3nC a 10V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 395pF a 15V
Stato componente Attivo	Potenza - Max 830mW
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Configurazione 2 canali N (doppio)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 30V	Contenitore/involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 3,6 A (Ta)	Contenitore del fornitore TSOT-26
RDSon (max) a Id, Vgs 60mohm a 3,1 A, 10V	Codice componente base DMN3060

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 0.51000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 0.55131

DMN3060LVT-7