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DMN3732UFB4-7 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 31-DMN3732UFB4-7TR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | DMN3732UFB4-7 |
Descrizione | MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN1006 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 30 V 1,3 A (Ta) 490mW (Ta) A montaggio superficiale X2-DFN1006-3 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Categoria | Vgs(th) max a Id 950mV a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 0.9 nC @ 4.5 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Vgs (max) ±8V |
Stato componente Fuori produzione presso DigiKey | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 40.8 pF @ 25 V |
Tipo FET | Dissipazione di potenza (max) 490mW (Ta) |
Tecnologia | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tensione drain/source (Vdss) 30 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore X2-DFN1006-3 |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 1,8V, 4,5V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 460mohm a 200mA, 4,5V | Codice componente base |
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Sostituti (2)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| DMN3732UFB4-7B | Diodes Incorporated | 0 | 31-DMN3732UFB4-7BCT-ND | Fr. 0.19000 | Equivalente parametrico |
| DMN3732UFB4Q-7B | Diodes Incorporated | 0 | 31-DMN3732UFB4Q-7BCT-ND | Fr. 0.23000 | Equivalente parametrico |
In magazzino: 0
