Name: DMN3732UFB4-7B
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMN3732UFB4-7BTR-ND
Price: 0.20539 CHF
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DMN3732UFB4-7B
Codice DigiKey	31-DMN3732UFB4-7BTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 31-DMN3732UFB4-7BCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 31-DMN3732UFB4-7BDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMN3732UFB4-7B
Descrizione	MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN1006
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 1,3 A (Ta) 490mW (Ta) A montaggio superficiale X2-DFN1006-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 950mV a 250µA
Produttore Diodes Incorporated	Carica del gate (Qg) max a Vgs 0.9 nC @ 4.5 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±8V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 40.8 pF @ 25 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 490mW (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 1,3 A (Ta)	Contenitore del fornitore X2-DFN1006-3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 1,8V, 4,5V	Contenitore/involucro 3-XFDFN
RDSon (max) a Id, Vgs 460mohm a 200mA, 4,5V	Codice componente base DMN3732

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
DMN3732UFB4-7	Diodes Incorporated	0	31-DMN3732UFB4-7TR-ND	Fr. 0.00000	Equivalente parametrico
DMN3732UFB4Q-7B	Diodes Incorporated	0	31-DMN3732UFB4Q-7BCT-ND	Fr. 0.23000	Equivalente parametrico

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Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 0.20539

DMN3732UFB4-7B