Name: DMN3732UFB4-7B
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMN3732UFB4-7BTR-ND
Price: 0.20539 CHF
Availability: InStock

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DMN3732UFB4-7B
Codice DigiKey	31-DMN3732UFB4-7BTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 31-DMN3732UFB4-7BCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 31-DMN3732UFB4-7BDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMN3732UFB4-7B
Descrizione	MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN1006
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 1,3 A (Ta) 490mW (Ta) A montaggio superficiale X2-DFN1006-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Diodes Incorporated
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	1,3 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	1,8V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs	460mohm a 200mA, 4,5V
Vgs(th) max a Id	950mV a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	0.9 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±8V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	40.8 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	490mW (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	X2-DFN1006-3
Contenitore/involucro	3-XFDFN
Codice componente base	DMN3732

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Nastrato in bobina (TR)