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Equivalente parametrico

DMN52D0U-13
Diodes Incorporated
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 0.04024
Scheda tecnica

Equivalente parametrico

DMN52D0UQ-13
Diodes Incorporated
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 0.03834
Scheda tecnica

Equivalente parametrico

DMN52D0UQ-7
Diodes Incorporated
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 0.03754
Scheda tecnica
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SOT-23-3
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DMN52D0U-7

Codice DigiKey
31-DMN52D0U-7TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Diodes Incorporated
Codice produttore
DMN52D0U-7
Descrizione
MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R
Tempi di consegna standard del produttore
12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 50 V 400mA (Ta) 500mW A montaggio superficiale SOT-23-3
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Diodes Incorporated
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
50 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
400mA (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
1,8V, 5V
RDSon (max) a Id, Vgs
2ohm a 50mA, 5V
Vgs(th) max a Id
1V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
1.5 nC @ 10 V
Vgs (max)
±12V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
39 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
500mW
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
SOT-23-3
Contenitore/involucro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Codice componente base
DMN52
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Disponibile su ordinazione
Scorte di fabbrica: 114’000
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3’000Fr. 0.04814Fr. 144.42
6’000Fr. 0.04330Fr. 259.80
9’000Fr. 0.04084Fr. 367.56
15’000Fr. 0.03807Fr. 571.05
21’000Fr. 0.03642Fr. 764.82
30’000Fr. 0.03483Fr. 1’044.90
75’000Fr. 0.03132Fr. 2’349.00
150’000Fr. 0.02940Fr. 4’410.00
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 0.04814
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 0.05204
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