Name: DMN52D0UQ-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMN52D0UQ-7TR-ND
Price: 0.04058 CHF
Availability: OutOfStock

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DMN52D0UQ-7
Codice DigiKey	31-DMN52D0UQ-7TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMN52D0UQ-7
Descrizione	MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R
Tempi di consegna standard del produttore	24 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 50 V 400mA (Ta) 500mW A montaggio superficiale SOT-23-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Diodes Incorporated
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	50 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	400mA (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	1,8V, 5V
RDSon (max) a Id, Vgs	2ohm a 50mA, 5V
Vgs(th) max a Id	1V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	1.5 nC @ 10 V
Vgs (max)	±12V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	39 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	500mW
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	SOT-23-3
Contenitore/involucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Codice componente base	DMN52