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DMN6013LFG-13 | |
|---|---|
Codice DigiKey | DMN6013LFG-13-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | DMN6013LFG-13 |
Descrizione | MOSFET N-CH 60V 10.3A PWRDI3333 |
Tempi di consegna standard del produttore | 40 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 60 V 10,3 A (Ta), 45 A (Tc) 1W (Ta) A montaggio superficiale POWERDI3333-8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Categoria | Vgs(th) max a Id 3V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 55.4 nC @ 10 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Vgs (max) ±20V |
Stato componente Attivo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2577 pF @ 30 V |
Tipo FET | Dissipazione di potenza (max) 1W (Ta) |
Tecnologia | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tensione drain/source (Vdss) 60 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore POWERDI3333-8 |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 13mohm a 10A, 10V | Codice componente base |
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Sostituti (4)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| DMN6013LFG-7 | Diodes Incorporated | 2’000 | DMN6013LFG-7DICT-ND | Fr. 0.96000 | Equivalente parametrico |
| DMN6013LFGQ-13 | Diodes Incorporated | 0 | DMN6013LFGQ-13-ND | Fr. 0.31263 | Equivalente parametrico |
| DMN6013LFGQ-7 | Diodes Incorporated | 433 | DMN6013LFGQ-7DICT-ND | Fr. 1.18000 | Equivalente parametrico |
| TPH7R006PL,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | 19’267 | TPH7R006PLL1QCT-ND | Fr. 1.02000 | Simile |
Disponibile su ordinazione
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Tutti i prezzi sono in CHF
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.24185 | Fr. 725.55 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.24185 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.26144 |
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