Name: DMN6013LFGQ-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN6013LFGQ-7DITR-ND
Price: 1.27558 CHF
Availability: InStock

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DMN6013LFGQ-7
Codice DigiKey	DMN6013LFGQ-7DITR-ND - Nastrato in bobina (TR) DMN6013LFGQ-7DICT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) DMN6013LFGQ-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMN6013LFGQ-7
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 10.3A PWRDI3333
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 10,3 A (Ta), 45 A (Tc) 1W (Ta) A montaggio superficiale POWERDI3333-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 55.4 nC @ 10 V
Produttore Diodes Incorporated	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2577 pF @ 30 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 1W (Ta)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 10,3 A (Ta), 45 A (Tc)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore del fornitore POWERDI3333-8
RDSon (max) a Id, Vgs 13mohm a 10A, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerVDFN
Vgs(th) max a Id 3V a 250µA	Codice componente base DMN6013

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Sostituti (1)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
DMN6013LFG-7	Diodes Incorporated	2’000	DMN6013LFG-7DICT-ND	Fr. 0.96000	Equivalente parametrico

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

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Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 1.18000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 1.27558

DMN6013LFGQ-7