Name: DMN61D8LVT-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN61D8LVT-7DITR-ND
Price: 0.59455 CHF
Availability: InStock

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DMN61D8LVT-7
Codice DigiKey	DMN61D8LVT-7DITR-ND - Nastrato in bobina (TR) DMN61D8LVT-7DICT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) DMN61D8LVT-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMN61D8LVT-7
Descrizione	MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 60V 630mA 820mW A montaggio superficiale TSOT-26
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET
Produttore	Diodes Incorporated
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione	2 canali N (doppio)
Funzione FET	Porta a livello logico
Tensione drain/source (Vdss)	60V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	630mA
RDSon (max) a Id, Vgs	1,8ohm a 150mA, 5V
Vgs(th) max a Id	2V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	0,74nC a 5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	12,9pF a 12V
Potenza - Max	820mW
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Contenitore del fornitore	TSOT-26
Codice componente base	DMN61

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Nastrato in bobina (TR)