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DMN61D8LVTQ-13 | |
|---|---|
Codice DigiKey | DMN61D8LVTQ-13DI-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | DMN61D8LVTQ-13 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26 |
Tempi di consegna standard del produttore | 40 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 60V 630mA 820mW A montaggio superficiale TSOT-26 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Categoria | Vgs(th) max a Id 2V a 1mA |
Produttore Diodes Incorporated | Carica del gate (Qg) max a Vgs 0,74nC a 5V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 12,9pF a 12V |
Stato componente Attivo | Potenza - Max 820mW |
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo) | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Configurazione 2 canali N (doppio) | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Funzione FET Porta a livello logico | Contenitore/involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Tensione drain/source (Vdss) 60V | Contenitore del fornitore TSOT-26 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 630mA | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 1,8ohm a 150mA, 5V |
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Sostituti (3)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| DMN61D8LVT-13 | Diodes Incorporated | 0 | 31-DMN61D8LVT-13CT-ND | Fr. 0.65000 | Equivalente parametrico |
| DMN61D8LVT-7 | Diodes Incorporated | 0 | DMN61D8LVT-7DICT-ND | Fr. 0.65000 | Equivalente parametrico |
| DMN61D8LVTQ-7 | Diodes Incorporated | 0 | DMN61D8LVTQ-7DICT-ND | Fr. 0.63000 | Equivalente parametrico |
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Tutti i prezzi sono in CHF
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 10’000 | Fr. 0.12992 | Fr. 1’299.20 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 0.12992 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 0.14044 |
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