DMNH6012LK3-13 è disponibile per l'acquisto ma non è generalmente a magazzino.
Sostituti disponibili:

Equivalente parametrico


Diodes Incorporated
In magazzino: 4’352
Prezzo unitario : Fr. 1.53000
Scheda tecnica

Simile


Infineon Technologies
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 0.92650
Scheda tecnica

Simile


onsemi
In magazzino: 1’638
Prezzo unitario : Fr. 2.12000
Scheda tecnica

Simile


onsemi
In magazzino: 1’400
Prezzo unitario : Fr. 1.80000
Scheda tecnica

Simile


onsemi
In magazzino: 9’775
Prezzo unitario : Fr. 1.42000
Scheda tecnica

Simile


Infineon Technologies
In magazzino: 23’967
Prezzo unitario : Fr. 1.21000
Scheda tecnica

Simile


Infineon Technologies
In magazzino: 0
Prezzo unitario : Fr. 0.00000
Scheda tecnica

Simile


STMicroelectronics
In magazzino: 7’490
Prezzo unitario : Fr. 1.65000
Scheda tecnica
Canale N 60 V 60 A (Tc) 2W (Ta) A montaggio superficiale TO-252-3
Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.
Canale N 60 V 60 A (Tc) 2W (Ta) A montaggio superficiale TO-252-3
TO-252-3

DMNH6012LK3-13

Codice DigiKey
DMNH6012LK3-13-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
DMNH6012LK3-13
Descrizione
MOSFET N-CH 60V 60A TO252
Tempi di consegna standard del produttore
40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 60 V 60 A (Tc) 2W (Ta) A montaggio superficiale TO-252-3
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Filtra prodotti simili
Mostra attributi vuoti
Categoria
Carica del gate (Qg) max a Vgs
35.2 nC @ 10 V
Produttore
Vgs (max)
±20V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1926 pF @ 30 V
Stato componente
Attivo
Dissipazione di potenza (max)
2W (Ta)
Tipo FET
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia
Grado
Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss)
60 V
Qualifica
AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
Contenitore del fornitore
TO-252-3
RDSon (max) a Id, Vgs
12mohm a 25A, 10V
Contenitore/involucro
Vgs(th) max a Id
3V a 250µA
Codice componente base
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (8)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
DMNH6012LK3Q-13Diodes Incorporated4’352DMNH6012LK3Q-13DICT-NDFr. 1.53000Equivalente parametrico
AUIRFR2905ZTRLInfineon Technologies0AUIRFR2905ZTRL-NDFr. 0.92650Simile
FDD13AN06A0onsemi1’638FDD13AN06A0CT-NDFr. 2.12000Simile
FDD13AN06A0-F085onsemi1’400FDD13AN06A0-F085CT-NDFr. 1.80000Simile
FDD86581-F085onsemi9’775FDD86581-F085OSCT-NDFr. 1.42000Simile
Disponibile su ordinazione
Scorte di fabbrica: 10’000
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Tutti i prezzi sono in CHF
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2’500Fr. 0.42204Fr. 1’055.10
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 0.42204
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 0.45623