Name: DMT10H015LCG-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMT10H015LCG-7TR-ND
Price: 1.54583 CHF
Availability: OutOfStock

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Diodes Incorporated

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DMT10H015LCG-7
Codice DigiKey	31-DMT10H015LCG-7TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 31-DMT10H015LCG-7CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 31-DMT10H015LCG-7DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	DMT10H015LCG-7
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 9.4A/34A 8DFN
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 9,4 A (Ta), 34 A (Tc) 1W (Ta) A montaggio superficiale V-DFN3333-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	DMT10H015LCG-7 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3,5V a 250µA
Produttore Diodes Incorporated	Carica del gate (Qg) max a Vgs 33.3 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1871 pF @ 50 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 1W (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 155°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 9,4 A (Ta), 34 A (Tc)	Contenitore del fornitore V-DFN3333-8
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerVDFN
RDSon (max) a Id, Vgs 15mohm a 20A, 10V	Codice componente base DMT10

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
DMT10H015LCG-13	Diodes Incorporated	0	DMT10H015LCG-13-ND	Fr. 0.40560	Equivalente parametrico

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Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 1.43000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 1.54583

DMT10H015LCG-7