Name: CSD19537Q3
Brand: Texas Instruments
SKU: 296-44351-2-ND
Price: 1.57826 CHF
Availability: OutOfStock

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CSD19537Q3
Codice DigiKey	296-44351-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 296-44351-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 296-44351-6-ND - Digi-Reel®
Produttore	Texas Instruments
Codice produttore	CSD19537Q3
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 9.7A/50A 8VSON
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 50 A (Ta) 2,8W (Ta), 83W (Tc) A montaggio superficiale 8-VSON-CLIP (3,3x3,3)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	CSD19537Q3 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3,6V a 250µA
Produttore Texas Instruments	Carica del gate (Qg) max a Vgs 21 nC @ 10 V
Serie NexFET™	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1680 pF @ 50 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 2,8W (Ta), 83W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Contenitore del fornitore 8-VSON-CLIP (3,3x3,3)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 50 A (Ta)	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Codice componente base CSD19537
RDSon (max) a Id, Vgs 14,5mohm a 10A, 10V

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
CSD19537Q3T	Texas Instruments	396	296-42632-1-ND	Fr. 1.78000	Equivalente parametrico
BSC159N10LSFGATMA1	Infineon Technologies	0	BSC159N10LSFGATMA1TR-ND	Fr. 0.00000	Simile

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Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 1.46000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 1.57826

CSD19537Q3