Name: ZVN2110GTA
Brand: Diodes Incorporated
SKU: ZVN2110GTR-ND
Price: 1.05938 CHF
Availability: InStock

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ZVN2110GTA
Codice DigiKey	ZVN2110GTR-ND - Nastrato in bobina (TR) ZVN2110GCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	ZVN2110GTA
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 500MA SOT223
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 500mA (Ta) 2W (Ta) A montaggio superficiale SOT-223-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	ZVN2110GTA Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Diodes Incorporated
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT)
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	500mA (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	4ohm a 1A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,4V a 1mA
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	75 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2W (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	SOT-223-3
Contenitore/involucro	TO-261-4, TO-261AA
Codice componente base	ZVN2110

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Nastro pre-tagliato (CT)

Nastrato in bobina (TR)