Name: ZXMN10A08GTA
Brand: Diodes Incorporated
SKU: ZXMN10A08GTR-ND
Price: 1.16748 CHF
Availability: OutOfStock

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Infineon Technologies

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ZXMN10A08GTA
Codice DigiKey	ZXMN10A08GTR-ND - Nastrato in bobina (TR) ZXMN10A08GCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) ZXMN10A08GDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Diodes Incorporated
Codice produttore	ZXMN10A08GTA
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 2A SOT223
Tempi di consegna standard del produttore	40 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 2 A (Ta) 2W (Ta) A montaggio superficiale SOT-223-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	ZXMN10A08GTA Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2V a 250µA
Produttore Diodes Incorporated	Carica del gate (Qg) max a Vgs 7.7 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 405 pF @ 50 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 2 A (Ta)	Contenitore del fornitore SOT-223-3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Contenitore/involucro TO-261-4, TO-261AA
RDSon (max) a Id, Vgs 250mohm a 3,2A, 10V	Codice componente base ZXMN10

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
BSP372NH6327XTSA1	Infineon Technologies	65’404	BSP372NH6327XTSA1CT-ND	Fr. 1.08000	Simile

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Nastrato in bobina (TR)

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Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 1.16748

ZXMN10A08GTA