



EPC2108 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 917-1169-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 917-1169-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) |
Produttore | |
Codice produttore | EPC2108 |
Descrizione | MOSFET 3N-CH 60V/100V 9BGA |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 60V, 100V 1,7A, 500mA A montaggio superficiale 9-BGA (1,35x1,35) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | RDSon (max) a Id, Vgs 190mohm a 2,5A, 5V, 3,3ohm a 2,5A, 5V |
Produttore EPC | Vgs(th) max a Id 2,5V a 100µA, 2,5V a 20µA |
Serie | Carica del gate (Qg) max a Vgs 0,22nC a 5V, 0,044nC a 5V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 22pF a 30V, 7pF a 30V |
Stato componente Obsoleto | Temperatura di funzionamento -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia GaNFET (nitruro di gallio) | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Configurazione 3 canali N (semiponte + bootstrap sincrono) | Contenitore/involucro 9-VFBGA |
Tensione drain/source (Vdss) 60V, 100V | Contenitore del fornitore 9-BGA (1,35x1,35) |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 1,7A, 500mA | Codice componente base |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| EPC2107 | EPC | 4’976 | 917-1168-1-ND | Fr. 2.37000 | Diretto |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 2.13000 | Fr. 2.13 |
| 10 | Fr. 1.37500 | Fr. 13.75 |
| 100 | Fr. 0.94160 | Fr. 94.16 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 2’500 | Fr. 0.57451 | Fr. 1’436.27 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 2.13000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 2.30253 |




