MOSFET - Array 60V, 100V 1,7A, 500mA A montaggio superficiale 9-BGA (1,35x1,35)
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MOSFET - Array 60V, 100V 1,7A, 500mA A montaggio superficiale 9-BGA (1,35x1,35)
How to GaN - 01: Material Capability Comparisons
How to GaN - 02: Building a GaN Transistor

EPC2108

Codice DigiKey
917-1169-2-ND - Nastrato in bobina (TR)
917-1169-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
Produttore
Codice produttore
EPC2108
Descrizione
MOSFET 3N-CH 60V/100V 9BGA
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 60V, 100V 1,7A, 500mA A montaggio superficiale 9-BGA (1,35x1,35)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
EPC
Serie
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Stato componente
Obsoleto
Tecnologia
GaNFET (nitruro di gallio)
Configurazione
3 canali N (semiponte + bootstrap sincrono)
Funzione FET
-
Tensione drain/source (Vdss)
60V, 100V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
1,7A, 500mA
RDSon (max) a Id, Vgs
190mohm a 2,5A, 5V, 3,3ohm a 2,5A, 5V
Vgs(th) max a Id
2,5V a 100µA, 2,5V a 20µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
0,22nC a 5V, 0,044nC a 5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
22pF a 30V, 7pF a 30V
Potenza - Max
-
Temperatura di funzionamento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
9-VFBGA
Contenitore del fornitore
9-BGA (1,35x1,35)
Codice componente base
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Nastro pre-tagliato (CT)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 2.01000Fr. 2.01
10Fr. 1.29700Fr. 12.97
100Fr. 0.88790Fr. 88.79
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2’500Fr. 0.57968Fr. 1’449.20
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 2.01000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 2.17281