MOSFET - Array 60V, 100V 1,7A, 500mA A montaggio superficiale 9-BGA (1,35x1,35)
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MOSFET - Array 60V, 100V 1,7A, 500mA A montaggio superficiale 9-BGA (1,35x1,35)
How to GaN - 01: Material Capability Comparisons
How to GaN - 02: Building a GaN Transistor

EPC2108

Codice DigiKey
917-1169-2-ND - Nastrato in bobina (TR)
917-1169-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
Produttore
Codice produttore
EPC2108
Descrizione
MOSFET 3N-CH 60V/100V 9BGA
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 60V, 100V 1,7A, 500mA A montaggio superficiale 9-BGA (1,35x1,35)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
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Categoria
RDSon (max) a Id, Vgs
190mohm a 2,5A, 5V, 3,3ohm a 2,5A, 5V
Produttore
EPC
Vgs(th) max a Id
2,5V a 100µA, 2,5V a 20µA
Serie
Carica del gate (Qg) max a Vgs
0,22nC a 5V, 0,044nC a 5V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
22pF a 30V, 7pF a 30V
Stato componente
Obsoleto
Temperatura di funzionamento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia
GaNFET (nitruro di gallio)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Configurazione
3 canali N (semiponte + bootstrap sincrono)
Contenitore/involucro
9-VFBGA
Tensione drain/source (Vdss)
60V, 100V
Contenitore del fornitore
9-BGA (1,35x1,35)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
1,7A, 500mA
Codice componente base
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (1)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
EPC2107EPC4’976917-1168-1-NDFr. 2.37000Diretto
In magazzino: 459
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Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 2.13000Fr. 2.13
10Fr. 1.37500Fr. 13.75
100Fr. 0.94160Fr. 94.16
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2’500Fr. 0.57451Fr. 1’436.27
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 2.13000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 2.30253