FQT13N06TF onsemi | Prodotti a semiconduttore discreti

FQT13N06TF è obsoleto e non è più in produzione.

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onsemi

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Prezzo unitario : Fr. 0.68000

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FQT13N06TF
Codice DigiKey	FQT13N06TFFSTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	onsemi
Codice produttore	FQT13N06TF
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT223-4
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 2,8 A (Tc) 2,1W (Tc) A montaggio superficiale SOT-223-4
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	FQT13N06TF Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	QFET®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	2,8 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	140mohm a 1,4A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	7.5 nC @ 10 V
Vgs (max)	±25V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	310 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2,1W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	SOT-223-4
Contenitore/involucro	TO-261-4, TO-261AA
Codice componente base	FQT13N06