Name: AIMBG120R010M1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-AIMBG120R010M1XTMA1TR-ND
Price: 26.97095 CHF
Availability: InStock

Canale N 1200 V 205 A (Tc) 882W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-7

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AIMBG120R010M1XTMA1
Codice DigiKey	448-AIMBG120R010M1XTMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-AIMBG120R010M1XTMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-AIMBG120R010M1XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	AIMBG120R010M1XTMA1
Descrizione	SICFET N-CH 1200V 205A TO-263
Tempi di consegna standard del produttore	61 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 1200 V 205 A (Tc) 882W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-7
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	AIMBG120R010M1XTMA1 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 178 nC @ 20 V
Produttore Infineon Technologies	Vgs (max) +25V, -10V
Serie CoolSiC™	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 5703 pF @ 800 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Dissipazione di potenza (max) 882W (Tc)
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET Canale N	Grado Automobilistico
Tecnologia SiCFET (carburo di silicio)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 1200 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 205 A (Tc)	Contenitore del fornitore PG-TO263-7
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 18V, 20V	Contenitore/involucro TO-263-8, D2PAK (7 conduttori+linguetta), TO-263CA
RDSon (max) a Id, Vgs 11,3mohm a 93A, 20V	Codice componente base AIMBG120
Vgs(th) max a Id 5,1V a 30mA