Name: IAUT300N08S5N012ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: IAUT300N08S5N012ATMA2TR-ND
Price: 5.93469 CHF
Availability: InStock

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IAUT300N08S5N012ATMA2
Codice DigiKey	IAUT300N08S5N012ATMA2TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IAUT300N08S5N012ATMA2CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IAUT300N08S5N012ATMA2DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IAUT300N08S5N012ATMA2
Descrizione	MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
Tempi di consegna standard del produttore	27 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 80 V 300 A (Tc) 375W (Tc) A montaggio superficiale PG-HSOF-8-1
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IAUT300N08S5N012ATMA2 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3,8V a 275µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 231 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 16250 pF @ 40 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 375W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 80 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 300 A (Tc)	Contenitore del fornitore PG-HSOF-8-1
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerSFN
RDSon (max) a Id, Vgs 1,2mohm a 100A, 10V	Codice componente base IAUT300