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Diretto

IPD30N06S2L13ATMA4
Infineon Technologies
In magazzino: 15’359
Prezzo unitario : Fr. 0.74000
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BUK7212-55B,118
Nexperia USA Inc.
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In magazzino: 0
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In magazzino: 8’032
Prezzo unitario : Fr. 1.70000
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In magazzino: 2’538
Prezzo unitario : Fr. 1.66000
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STMicroelectronics
In magazzino: 3’922
Prezzo unitario : Fr. 1.67000
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STMicroelectronics
In magazzino: 2’277
Prezzo unitario : Fr. 2.23000
Scheda tecnica
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TO-252AA (DPAK)
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AUIRLR3915

Codice DigiKey
AUIRLR3915-ND
Produttore
Infineon Technologies
Codice produttore
AUIRLR3915
Descrizione
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 55 V 30 A (Tc) 120W (Tc) A montaggio superficiale
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Infineon Technologies
Serie
HEXFET®
Confezionamento
Tubo
Stato componente
Fuori produzione presso Digi-Key
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
55 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
30 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
14mohm a 30A, 10V
Vgs(th) max a Id
3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
92 nC @ 10 V
Vgs (max)
±16V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1870 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
120W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automobilistico
Qualifica
AEC-Q101
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
TO-252AA (DPAK)
Contenitore/involucro
TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
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