Name: BSC009NE2LSATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC009NE2LSATMA1TR-ND
Price: 2.15119 CHF
Availability: InStock

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BSC009NE2LSATMA1
Codice DigiKey	BSC009NE2LSATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) BSC009NE2LSATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) BSC009NE2LSATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	BSC009NE2LSATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 25V 41A/255A TDSON
Tempi di consegna standard del produttore	61 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 25 V 41A (Ta), 255A (Tc) 2,5W (Ta), 96W (Tc) A montaggio superficiale PG-TDSON-8-7
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	BSC009NE2LSATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,2V a 250µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 126 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 5800 pF @ 12 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 2,5W (Ta), 96W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 25 V	Contenitore del fornitore PG-TDSON-8-7
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 41A (Ta), 255A (Tc)	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base BSC009
RDSon (max) a Id, Vgs 0,9mohm a 30A, 10V