Name: BSC0901NSIATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC0901NSIATMA1TR-ND
Price: 1.4053 CHF
Availability: InStock

Canale N 30 V 28 A (Ta), 100 A (Tc) 2,5W (Ta), 69W (Tc) A montaggio superficiale PG-TDSON-8-6

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BSC0901NSIATMA1
Codice DigiKey	BSC0901NSIATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) BSC0901NSIATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) BSC0901NSIATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	BSC0901NSIATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 28 A (Ta), 100 A (Tc) 2,5W (Ta), 69W (Tc) A montaggio superficiale PG-TDSON-8-6
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	BSC0901NSIATMA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,2V a 250µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 20 nC @ 15 V
Serie OptiMOS™	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2600 pF @ 15 V
Stato componente Data di acquisto finale	Dissipazione di potenza (max) 2,5W (Ta), 69W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Contenitore del fornitore PG-TDSON-8-6
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 28 A (Ta), 100 A (Tc)	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base BSC0901
RDSon (max) a Id, Vgs 2mohm a 30A, 10V

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Sostituti (5)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
BSC0502NSIATMA1	Infineon Technologies	22’766	BSC0502NSIATMA1CT-ND	Fr. 1.31000	Consigliato dal produttore
CSD17576Q5B	Texas Instruments	3’384	296-43635-1-ND	Fr. 1.55000	Simile
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FDMS0306AS	onsemi	0	FDMS0306ASCT-ND	Fr. 0.36518	Simile
RJK0346DPA-01#J0B	Renesas Electronics Corporation	4’604	559-RJK0346DPA-01#J0BCT-ND	Fr. 2.92000	Simile

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