BSC196N10NSGATMA1 Infineon Technologies | FET, MOSFET singoli

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BSC196N10NSGATMA1
Codice DigiKey	BSC196N10NSGATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) BSC196N10NSGATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) BSC196N10NSGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	BSC196N10NSGATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 8.5A/45A TDSON
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 8,5 A (Ta), 45 A (Tc) 78W (Tc) A montaggio superficiale PG-TDSON-8-1
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	BSC196N10NSGATMA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 42µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 34 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2300 pF @ 50 V
Stato componente Obsoleto	Dissipazione di potenza (max) 78W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Contenitore del fornitore PG-TDSON-8-1
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 8,5 A (Ta), 45 A (Tc)	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base BSC196
RDSon (max) a Id, Vgs 19,6mohm a 45A, 10V

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Sostituti (11)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
ISC230N10NM6ATMA1	Infineon Technologies	0	448-ISC230N10NM6ATMA1TR-ND	Fr. 0.41867	Consigliato dal produttore
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