BSM75GB170DN2HOSA1 Infineon Technologies | Prodotti a semiconduttore discreti

BSM75GB170DN2HOSA1 è obsoleto e non è più in produzione.

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Prezzo unitario : Fr. 253.39000

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BSM75GB170DN2HOSA1
Codice DigiKey	BSM75GB170DN2HOSA1-ND
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	BSM75GB170DN2HOSA1
Descrizione	IGBT MOD 1700V 110A 625W MOD
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	IGBT Modulo Semiponte 1700 V 110 A 625 W Montaggio su telaio Modulo
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor IGBT Moduli IGBT
Produttore	Infineon Technologies
Serie	-
Confezionamento	Vassoio
Stato componente	Obsoleto
Tipo di IGBT	-
Configurazione	Semiponte
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)	1700 V
Corrente - Collettore (Ic) max	110 A
Potenza - Max	625 W
Vce(on) max a Vge, Ic	3,9V a 15V, 75A
Capacità di ingresso (Cies) a Vce	11 nF @ 25 V
Ingresso	Standard
Termistore NTC	No
Temperatura di funzionamento	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Montaggio su telaio
Contenitore/involucro	Modulo
Contenitore del fornitore	Modulo
Codice componente base	BSM75G