Name: BSS123IXTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-BSS123IXTSA1TR-ND
Price: 0.19458 CHF
Availability: InStock

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BSS123IXTSA1
Codice DigiKey	448-BSS123IXTSA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-BSS123IXTSA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-BSS123IXTSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	BSS123IXTSA1
Descrizione	SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT23-3
Tempi di consegna standard del produttore	17 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 190mA (Ta) 500mW (Ta) A montaggio superficiale PG-SOT-23-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	BSS123IXTSA1 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	190mA (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	6ohm a 190mA, 10V
Vgs(th) max a Id	1,8V a 13µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	0.63 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	15 pF @ 50 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	500mW (Ta)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-SOT-23-3
Contenitore/involucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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Nastrato in bobina (TR)