Name: IPN60R2K1CEATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPN60R2K1CEATMA1TR-ND
Price: 0.67022 CHF
Availability: InStock

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IPN60R2K1CEATMA1
Codice DigiKey	IPN60R2K1CEATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPN60R2K1CEATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPN60R2K1CEATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPN60R2K1CEATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 3.7A SOT223
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 600 V 3,7 A (Tc) 5W (Tc) A montaggio superficiale PG-SOT223-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPN60R2K1CEATMA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3,5V a 60µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 6.7 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™ CE	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 140 pF @ 100 V
Stato componente Non per nuovi progetti	Dissipazione di potenza (max) 5W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 600 V	Contenitore del fornitore PG-SOT223-3
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 3,7 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-261-4, TO-261AA
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base IPN60R2
RDSon (max) a Id, Vgs 2,1ohm a 800mA, 10V

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Nastrato in bobina (TR)