Name: BSS159NH6327XTSA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSS159NH6327XTSA2TR-ND
Price: 0.49726 CHF
Availability: InStock

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BSS159NH6327XTSA2
Codice DigiKey	BSS159NH6327XTSA2TR-ND - Nastrato in bobina (TR) BSS159NH6327XTSA2CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) BSS159NH6327XTSA2DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	BSS159NH6327XTSA2
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
Tempi di consegna standard del produttore	26 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N, modalità depletion 60 V 230mA (Ta) 360mW (Ta) A montaggio superficiale PG-SOT23
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	BSS159NH6327XTSA2 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 1.4 nC @ 5 V
Produttore Infineon Technologies	Vgs (max) ±20V
Serie SIPMOS®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 39 pF @ 25 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Dissipazione di potenza (max) 360mW (Ta)
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET Canale N, modalità depletion	Grado Automobilistico
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 230mA (Ta)	Contenitore del fornitore PG-SOT23
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 0V, 10V	Contenitore/involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RDSon (max) a Id, Vgs 3,5ohm a 160mA, 10V	Codice componente base BSS159
Vgs(th) max a Id 2,4V a 26µA

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)