Name: BSZ130N03LSGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ130N03LSGATMA1TR-ND
Price: 0.82156 CHF
Availability: InStock

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BSZ130N03LSGATMA1
Codice DigiKey	BSZ130N03LSGATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) BSZ130N03LSGATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) BSZ130N03LSGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	BSZ130N03LSGATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 10A/35A 8TSDSON
Tempi di consegna standard del produttore	61 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 10 A (Ta), 35 A (Tc) 2,1W (Ta), 25W (Tc) A montaggio superficiale PG-TSDSON-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	BSZ130N03LSGATMA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,2V a 250µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 13 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 970 pF @ 15 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 2,1W (Ta), 25W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Contenitore del fornitore PG-TSDSON-8
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 10 A (Ta), 35 A (Tc)	Contenitore/involucro 8-PowerTDFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base BSZ130
RDSon (max) a Id, Vgs 13mohm a 20A, 10V

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

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Nastrato in bobina (TR)