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F417MR12W1M1HB76BPSA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 448-F417MR12W1M1HB76BPSA1-ND |
Produttore | |
Codice produttore | F417MR12W1M1HB76BPSA1 |
Descrizione | LOW POWER EASY |
Tempi di consegna standard del produttore | 29 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 1200V (1,2kV) 45A Montaggio su telaio |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | F417MR12W1M1HB76BPSA1 Modelli |
Attributi del prodotto
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Mostra attributi vuoti
Categoria | RDSon (max) a Id, Vgs 11,7mohm a 62,5A, 18V |
Produttore Infineon Technologies | Vgs(th) max a Id 5,15V a 20mA |
Serie | Carica del gate (Qg) max a Vgs 200nC a 18V |
Confezionamento Vassoio | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 6050pF a 800V |
Stato componente Attivo | Temperatura di funzionamento -40°C ~ 175°C (TJ) |
Tecnologia Carburo di silicio (SiC) | Tipo di montaggio Montaggio su telaio |
Configurazione 4 Canale N | Contenitore/involucro Modulo |
Tensione drain/source (Vdss) 1200V (1,2kV) | Codice componente base |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 45A |
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Tutti i prezzi sono in CHF
Vassoio
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 74.98000 | Fr. 74.98 |
| 24 | Fr. 58.02625 | Fr. 1’392.63 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 74.98000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 81.05338 |
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