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NXH015F120M3F1PTG | |
|---|---|
Codice DigiKey | 488-NXH015F120M3F1PTG-ND |
Produttore | |
Codice produttore | NXH015F120M3F1PTG |
Descrizione | SILICON CARBIDE (SIC) MODULE ELI |
Tempi di consegna standard del produttore | 22 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 1200V (1,2kV) 77 A (Tc) 198W (Tj) Montaggio su telaio 22-PIM (33,8x42,5) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
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Categoria | Vgs(th) max a Id 4,4V a 30mA |
Produttore onsemi | Carica del gate (Qg) max a Vgs 211nC a 18V |
Confezionamento Vassoio | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 4696pF a 800V |
Stato componente Attivo | Potenza - Max 198W (Tj) |
Tecnologia Carburo di silicio (SiC) | Temperatura di funzionamento -40°C ~ 175°C (TJ) |
Configurazione 4 canale N (ponte intero) | Tipo di montaggio Montaggio su telaio |
Funzione FET Modalità di svuotamento | Contenitore/involucro Modulo |
Tensione drain/source (Vdss) 1200V (1,2kV) | Contenitore del fornitore 22-PIM (33,8x42,5) |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 77 A (Tc) | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 19mohm a 60A, 18V |
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Vassoio
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 53.03000 | Fr. 53.03 |
| 28 | Fr. 40.50786 | Fr. 1’134.22 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 53.03000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 57.32543 |
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