FP75R07N2E4BOSA1 Infineon Technologies | Prodotti a semiconduttore discreti

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

FP75R07N2E4BOSA1
Codice DigiKey	FP75R07N2E4BOSA1-ND
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	FP75R07N2E4BOSA1
Descrizione	IGBT MODULE 650V 95A MODULE
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	IGBT Modulo Trench Field Stop Invertitore trifase 650 V 95 A Montaggio su telaio Modulo
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor IGBT Moduli IGBT
Produttore	Infineon Technologies
Serie	EconoPIM™ 2
Confezionamento	Sfuso
Stato componente	Fuori produzione presso Digi-Key
Tipo di IGBT	Trench Field Stop
Configurazione	Invertitore trifase
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)	650 V
Corrente - Collettore (Ic) max	95 A
Vce(on) max a Vge, Ic	1,95V a 15V, 75A
Corrente - Interruzione collettore (max)	1 mA
Capacità di ingresso (Cies) a Vce	4.6 nF @ 25 V
Ingresso	Standard
Termistore NTC	Si
Temperatura di funzionamento	-40°C ~ 150°C
Tipo di montaggio	Montaggio su telaio
Contenitore/involucro	Modulo
Contenitore del fornitore	Modulo
Codice componente base	FP75R07