Name: SQ1922EEH-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQ1922EEH-T1_GE3TR-ND
Price: 0.73508 CHF
Availability: InStock

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SQ1922EEH-T1_GE3
Codice DigiKey	SQ1922EEH-T1_GE3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SQ1922EEH-T1_GE3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SQ1922EEH-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Vishay Siliconix
Codice produttore	SQ1922EEH-T1_GE3
Descrizione	MOSFET 2N-CH 20V 0.84A SC70-6
Tempi di consegna standard del produttore	20 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 20V 840mA (Tc) 1,5W A montaggio superficiale SC-70-6
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SQ1922EEH-T1_GE3 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	Carica del gate (Qg) max a Vgs 1,2nC a 4,5V
Produttore Vishay Siliconix	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 50pF a 10V
Serie TrenchFET®	Potenza - Max 1,5W
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Stato componente Attivo	Grado Automobilistico
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Qualifica AEC-Q101
Configurazione 2 canali N (doppio)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 20V	Contenitore/involucro 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 840mA (Tc)	Contenitore del fornitore SC-70-6
RDSon (max) a Id, Vgs 350mohm a 400mA, 4,5V	Codice componente base SQ1922
Vgs(th) max a Id 1,5V a 250µA

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)