Name: IAUTN06S5N008GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUTN06S5N008GATMA1TR-ND
Price: 6.07522 CHF
Availability: InStock

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IAUTN06S5N008GATMA1
Codice DigiKey	448-IAUTN06S5N008GATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IAUTN06S5N008GATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IAUTN06S5N008GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IAUTN06S5N008GATMA1
Descrizione	MOSFET_)40V 60V)
Tempi di consegna standard del produttore	27 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 59A (Ta), 350A (Tj) 358W (Tc) A montaggio superficiale PG-HSOG-8-1
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3V a 275µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 273 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™ 5	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 20280 pF @ 30 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 358W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 59A (Ta), 350A (Tj)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 7V, 10V	Contenitore del fornitore PG-HSOG-8-1
RDSon (max) a Id, Vgs 0,78mohm a 100A, 10V	Contenitore/involucro 8-PowerSMD, ad ala di gabbiano