Name: IPTG007N06NM5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPTG007N06NM5ATMA1TR-ND
Price: 6.87516 CHF
Availability: InStock

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IPTG007N06NM5ATMA1
Codice DigiKey	448-IPTG007N06NM5ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IPTG007N06NM5ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IPTG007N06NM5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPTG007N06NM5ATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 53A/454A HSOG-8
Tempi di consegna standard del produttore	25 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 53A (Ta), 454A (Tc) 3,8W (Ta), 375W (Tc) A montaggio superficiale PG-HSOG-8-1
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPTG007N06NM5ATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3,3V a 280µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 261 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™ 5	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 21000 pF @ 30 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 3,8W (Ta), 375W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Contenitore del fornitore PG-HSOG-8-1
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 53A (Ta), 454A (Tc)	Contenitore/involucro 8-PowerSMD, ad ala di gabbiano
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V, 10V	Codice componente base IPTG007N
RDSon (max) a Id, Vgs 0,75mohm a 150A, 10V