Name: IAUZ30N08S5N186ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUZ30N08S5N186ATMA1TR-ND
Price: 1.11343 CHF
Availability: OutOfStock

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IAUZ30N08S5N186ATMA1
Codice DigiKey	448-IAUZ30N08S5N186ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IAUZ30N08S5N186ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IAUZ30N08S5N186ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IAUZ30N08S5N186ATMA1
Descrizione	MOSFET_(75V 120V( PG-TSDSON-8
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 80 V 30 A (Tj) 41W (Tc) A montaggio superficiale PG-TSDSON-8-32
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IAUZ30N08S5N186ATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	80 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	30 A (Tj)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	6V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	18,6mohm a 15A, 10V
Vgs(th) max a Id	3,8V a 13µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	12.1 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	759 pF @ 40 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	41W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-TSDSON-8-32
Contenitore/involucro	8-PowerTDFN