Name: IPZ40N04S55R4ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPZ40N04S55R4ATMA1TR-ND
Price: 0.78913 CHF
Availability: InStock

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IPZ40N04S55R4ATMA1
Codice DigiKey	IPZ40N04S55R4ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) IPZ40N04S55R4ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IPZ40N04S55R4ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IPZ40N04S55R4ATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Tempi di consegna standard del produttore	12 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 40 V 40 A (Tc) 48W (Tc) A montaggio superficiale PG-TSDSON-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IPZ40N04S55R4ATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 5
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	40 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	40 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	7V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	5,4mohm a 20A, 10V
Vgs(th) max a Id	3,4V a 17µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	23 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1300 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	48W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-TSDSON-8
Contenitore/involucro	8-PowerVDFN
Codice componente base	IPZ40N04