Name: IDH04G65C5XKSA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: IDH04G65C5XKSA2-ND
Price: 2.04309 CHF
Availability: InStock

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IDH04G65C5XKSA2
Codice DigiKey	IDH04G65C5XKSA2-ND
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IDH04G65C5XKSA2
Descrizione	DIODE SIL CARB 650V 4A PGTO2201
Tempi di consegna standard del produttore	15 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Diodi 650 V 4A Foro passante PG-TO220-2-1
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Diodi Raddrizzatori Diodi singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™+
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Attivo
Tecnologia	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max	650 V
Corrente - Media rettificata (Io)	4A
Tensione - Diretta (Vf) max a If	1.7 V @ 4 A
Velocità	Nessun tempo di ripristino > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (Trr)	0 ns
Corrente - Dispersione inversa a Vr	70 µA @ 650 V
Capacità a Vr, F	130pF a 1V, 1MHz
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore/involucro	TO-220-2
Contenitore del fornitore	PG-TO220-2-1
Temp. di funzionamento - Giunzione	-55°C ~ 175°C
Codice componente base	IDH04G65

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Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1	Fr. 1.89000	Fr. 1.89
50	Fr. 0.91920	Fr. 45.96
100	Fr. 0.82510	Fr. 82.51
500	Fr. 0.63108	Fr. 315.54
1’000	Fr. 0.58291	Fr. 582.91
2’000	Fr. 0.56252	Fr. 1’125.04
5’000	Fr. 0.52651	Fr. 2’632.55

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