Name: IDH04G65C6XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IDH04G65C6XKSA1-ND
Price: 2.01066 CHF
Availability: InStock

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IDH04G65C6XKSA1
Codice DigiKey	448-IDH04G65C6XKSA1-ND
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IDH04G65C6XKSA1
Descrizione	DIODE SIL CARB 650V 12A PGTO220
Tempi di consegna standard del produttore	15 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Diodi 650 V 12A Foro passante PG-TO220-2
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IDH04G65C6XKSA1 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Diodi Raddrizzatori Diodi singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	-
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Attivo
Tecnologia	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max	650 V
Corrente - Media rettificata (Io)	12A
Tensione - Diretta (Vf) max a If	1.35 V @ 4 A
Velocità	Nessun tempo di ripristino > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (Trr)	0 ns
Corrente - Dispersione inversa a Vr	14 µA @ 420 V
Capacità a Vr, F	205pF a 1V, 1MHz
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore/involucro	TO-220-2
Contenitore del fornitore	PG-TO220-2
Temp. di funzionamento - Giunzione	-55°C ~ 175°C
Codice componente base	IDH04G65

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Tubo

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1	Fr. 1.86000	Fr. 1.86
50	Fr. 0.90780	Fr. 45.39
100	Fr. 0.81470	Fr. 81.47
500	Fr. 0.65150	Fr. 325.75
1’000	Fr. 0.57958	Fr. 579.58
2’000	Fr. 0.55490	Fr. 1’109.80
5’000	Fr. 0.51821	Fr. 2’591.05

Contenitore standard del produttore

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