Name: IGB03N120S7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGB03N120S7ATMA1TR-ND
Price: 1.7296 CHF
Availability: InStock

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IGB03N120S7ATMA1
Codice DigiKey	448-IGB03N120S7ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IGB03N120S7ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IGB03N120S7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IGB03N120S7ATMA1
Descrizione	IGBT 1200V 9A TO263-3-2
Tempi di consegna standard del produttore	19 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	IGBT 1200 V 9 A 37 W A montaggio superficiale PG-TO263-3-2
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IGB03N120S7ATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor IGBT IGBT singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	TRENCHSTOP™
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo di IGBT	-
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)	1200 V
Corrente - Collettore (Ic) max	9 A
Corrente - Pulsata collettore (Icm)	9 A
Vce(on) max a Vge, Ic	2V a 15V, 3A
Potenza - Max	37 W
Energia di commutazione	210µJ (on), 160µJ (off)
Tipo di ingresso	Standard
Carica del gate	24 nC
Td (on/off) a 25°C	19ns/89ns
Condizione di test	600V, 3A, 60ohm, 15V
Temperatura di funzionamento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Contenitore del fornitore	PG-TO263-3-2

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Nastrato in bobina (TR)