Name: IGB110S10S1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGB110S10S1XTMA1TR-ND
Price: 2.03228 CHF
Availability: InStock

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IGB110S10S1XTMA1
Codice DigiKey	448-IGB110S10S1XTMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IGB110S10S1XTMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IGB110S10S1XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IGB110S10S1XTMA1
Descrizione	GANFET N-CH 100V 9A 4TDFN
Tempi di consegna standard del produttore	25 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 9 A (Ta), 23 A (Tc) 2,5W (Ta), 15W (Tc) A montaggio superficiale PG-TSON-4-2
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IGB110S10S1XTMA1 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 11mohm a 10A, 5V
Produttore Infineon Technologies	Vgs(th) max a Id 2,9V a 3mA
Serie CoolGaN™	Carica del gate (Qg) max a Vgs 3.4 nC @ 5 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±6,5V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 340 pF @ 50 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 2,5W (Ta), 15W (Tc)
Tecnologia GaNFET (nitruro di gallio)	Temperatura di funzionamento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 9 A (Ta), 23 A (Tc)	Contenitore del fornitore PG-TSON-4-2
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 5V	Contenitore/involucro 4-PowerTDFN