Name: IGC037S12S1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGC037S12S1XTMA1TR-ND
Price: 3.65378 CHF
Availability: InStock

IGC037S12S1XTMA1
Codice DigiKey	448-IGC037S12S1XTMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IGC037S12S1XTMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IGC037S12S1XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IGC037S12S1XTMA1
Descrizione	GANFET N-CH 120V 19A 6TDFN
Tempi di consegna standard del produttore	29 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 120 V 19 A (Ta), 71 A (Tc) 3,3W (Ta), 45W (Tc) A montaggio superficiale PG-TSON-6-2
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IGC037S12S1XTMA1 Modelli

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	CoolGaN™
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	GaNFET (nitruro di gallio)
Tensione drain/source (Vdss)	120 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	19 A (Ta), 71 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	5V
RDSon (max) a Id, Vgs	3,7mohm a 18A, 5V
Vgs(th) max a Id	2,9V a 7mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	13 nC @ 5 V
Vgs (max)	±6,5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1000 pF @ 60 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3,3W (Ta), 45W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-TSON-6-2
Contenitore/involucro	6-PowerTDFN

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 3.38000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 3.65378

IGC037S12S1XTMA1