IGD01N120H2BUMA1 Infineon Technologies | Prodotti a semiconduttore discreti

IGD01N120H2BUMA1 è obsoleto e non è più in produzione.

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IGD01N120H2BUMA1
Codice DigiKey	IGD01N120H2BUMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IGD01N120H2BUMA1
Descrizione	IGBT 1200V 3.2A TO252-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	IGBT 1200 V 3.2 A 28 W A montaggio superficiale PG-TO252-3-11
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor IGBT IGBT singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Obsoleto
Tipo di IGBT	-
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)	1200 V
Corrente - Collettore (Ic) max	3.2 A
Corrente - Pulsata collettore (Icm)	3.5 A
Vce(on) max a Vge, Ic	2,8V a 15V, 1A
Potenza - Max	28 W
Energia di commutazione	140µJ
Tipo di ingresso	Standard
Carica del gate	8.6 nC
Td (on/off) a 25°C	13ns/370ns
Condizione di test	800V, 1A, 241ohm, 15V
Temperatura di funzionamento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Contenitore del fornitore	PG-TO252-3-11
Codice componente base	IGD01