IGD15N65T6ARMA1 Infineon Technologies | Prodotti a semiconduttore discreti

IGD15N65T6ARMA1 è obsoleto e non è più in produzione.

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Infineon Technologies

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Prezzo unitario : Fr. 0.90000

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IGD15N65T6ARMA1
Codice DigiKey	448-IGD15N65T6ARMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IGD15N65T6ARMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IGD15N65T6ARMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IGD15N65T6ARMA1
Descrizione	IGBT TRENCH FS 650V 30A TO252-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	IGBT Trench Field Stop 650 V 30 A 100 W A montaggio superficiale PG-TO252-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IGD15N65T6ARMA1 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor IGBT IGBT singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	TRENCHSTOP™
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Obsoleto
Tipo di IGBT	Trench Field Stop
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)	650 V
Corrente - Collettore (Ic) max	30 A
Corrente - Pulsata collettore (Icm)	57.5 A
Vce(on) max a Vge, Ic	1,9V a 15V, 11,5A
Potenza - Max	100 W
Energia di commutazione	230µJ (on), 110µJ (off)
Tipo di ingresso	Standard
Carica del gate	37 nC
Td (on/off) a 25°C	30ns/117ns
Condizione di test	400V, 11,5A, 47ohm, 15V
Temperatura di funzionamento	-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Contenitore del fornitore	PG-TO252-3
Codice componente base	IGD15N65