Name: IGL65R080D2XUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGL65R080D2XUMA1TR-ND
Price: 4.9726 CHF
Availability: InStock

Nuovo prodotto

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IGL65R080D2XUMA1
Codice DigiKey	448-IGL65R080D2XUMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IGL65R080D2XUMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IGL65R080D2XUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IGL65R080D2XUMA1
Descrizione	GANFET N-CH 650V 18A 8TDFN
Tempi di consegna standard del produttore	27 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 18 A (Tc) 81W (Tc) Montaggio superficiale, fianchi impregnabili PG-TSON-8-U06
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 1,6V a 1,8mA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 3.3 nC @ 3 V
Serie CoolGaN™ G5	Vgs (max) -10V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 240 pF @ 400 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 81W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia GaNFET (nitruro di gallio)	Tipo di montaggio Montaggio superficiale, fianchi impregnabili
Tensione drain/source (Vdss) 650 V	Contenitore del fornitore PG-TSON-8-U06
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 18 A (Tc)	Contenitore/involucro 8-TDFN piazzola esposta
RDSon (max) a Id, Vgs 70mOhm a 5,5A