Name: FCMT099N65S3
Brand: onsemi
SKU: 488-FCMT099N65S3TR-ND
Price: 6.72382 CHF
Availability: InStock

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FCMT099N65S3
Codice DigiKey	488-FCMT099N65S3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 488-FCMT099N65S3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 488-FCMT099N65S3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FCMT099N65S3
Descrizione	MOSFET N-CH 650V 30A POWER88
Tempi di consegna standard del produttore	17 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 30 A (Tc) 227W (Tc) A montaggio superficiale Power88
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4,5V a 3mA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 56 nC @ 10 V
Serie SuperFET® III	Vgs (max) ±30V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2270 pF @ 400 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 227W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 650 V	Contenitore del fornitore Power88
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 30 A (Tc)	Contenitore/involucro 4-PowerTSFN
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base FCMT099
RDSon (max) a Id, Vgs 99mohm a 15A, 10V

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Sostituti (1)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
IPL60R104C7AUMA1	Infineon Technologies	74	448-IPL60R104C7AUMA1CT-ND	Fr. 4.85000	Simile

In magazzino: 2’600

Scorte di fabbrica: 18’000

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Quantità

Tutti i prezzi sono in CHF

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
3’000	Fr. 2.43739	Fr. 7’312.17

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 6.22000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 6.72382

FCMT099N65S3