
IGT65R025D2ATMA1 | |
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Codice DigiKey | 448-IGT65R025D2ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IGT65R025D2ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IGT65R025D2ATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IGT65R025D2ATMA1 |
Descrizione | IGT65R025D2ATMA1 |
Tempi di consegna standard del produttore | 18 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 70 A (Tc) 236W (Tc) A montaggio superficiale PG-HSOF-8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IGT65R025D2ATMA1 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 650 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | - | |
RDSon (max) a Id, Vgs | - | |
Vgs(th) max a Id | 1,6V a 6,1mA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 11 nC @ 3 V | |
Vgs (max) | -10V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 780 pF @ 400 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 236W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PG-HSOF-8 | |
Contenitore/involucro |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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1 | Fr. 9.54000 | Fr. 9.54 |
10 | Fr. 6.63000 | Fr. 66.30 |
100 | Fr. 5.67220 | Fr. 567.22 |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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2’000 | Fr. 4.63410 | Fr. 9’268.20 |
Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 9.54000 |
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Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 10.31274 |