Name: IGT65R025D2ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGT65R025D2ATMA1TR-ND
Price: 10.74514 CHF
Availability: OutOfStock

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

IGT65R025D2ATMA1
Codice DigiKey	448-IGT65R025D2ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IGT65R025D2ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IGT65R025D2ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IGT65R025D2ATMA1
Descrizione	GANFET N-CH 650V 70A 8PSFN
Tempi di consegna standard del produttore	27 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 70 A (Tc) 236W (Tc) A montaggio superficiale PG-HSOF-8
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IGT65R025D2ATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

Filtra prodotti simili

Mostra attributi vuoti

Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 1,6V a 6,1mA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 11 nC @ 3 V
Serie CoolGaN™ G5	Vgs (max) -10V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 780 pF @ 400 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 236W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia GaNFET (nitruro di gallio)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 650 V	Contenitore del fornitore PG-HSOF-8
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 70 A (Tc)	Contenitore/involucro 8-PowerSFN
RDSon (max) a Id, Vgs 30mOhm a 18A