
IMBG65R007M2HXTMA1 | |
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Codice DigiKey | 448-IMBG65R007M2HXTMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IMBG65R007M2HXTMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IMBG65R007M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IMBG65R007M2HXTMA1 |
Descrizione | SICFET N-CH 650V 238A TO263-7 |
Tempi di consegna standard del produttore | 23 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 238A (Tc) 789W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-7-12 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IMBG65R007M2HXTMA1 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 650 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 15V, 20V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 8,5mohm a 146,3A, 18V | |
Vgs(th) max a Id | 5,6V a 2,97mA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 179 nC @ 18 V | |
Vgs (max) | +23V, -7V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 6359 pF @ 400 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 789W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PG-TO263-7-12 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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1 | Fr. 22.53000 | Fr. 22.53 |
10 | Fr. 17.07800 | Fr. 170.78 |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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1’000 | Fr. 13.95260 | Fr. 13’952.60 |
Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 22.53000 |
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Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 24.35493 |