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Infineon Technologies
In magazzino: 2’298
Prezzo unitario : Fr. 1.02000
Scheda tecnica
PG-TO252-3
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PG-TO252-3
PG-TO-252-3

IKD04N60RFAATMA1

Codice DigiKey
IKD04N60RFAATMA1-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
IKD04N60RFAATMA1
Descrizione
IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
IGBT Trench 600 V 8 A 75 W A montaggio superficiale PG-TO252-3
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Infineon Technologies
Serie
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Non per nuovi progetti
Tipo di IGBT
Trench
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)
600 V
Corrente - Collettore (Ic) max
8 A
Corrente - Pulsata collettore (Icm)
12 A
Vce(on) max a Vge, Ic
2,5V a 15V, 4A
Potenza - Max
75 W
Energia di commutazione
60µJ (on), 50µJ (off)
Tipo di ingresso
Standard
Carica del gate
27 nC
Td (on/off) a 25°C
12ns/116ns
Condizione di test
400V, 4A, 43ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (Trr)
34 ns
Temperatura di funzionamento
-40°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automobilistico
Qualifica
AEC-Q101
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Contenitore del fornitore
PG-TO252-3
Codice componente base
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Tutti i prezzi sono in CHF
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
2’500Fr. 0.48614Fr. 1’215.35
5’000Fr. 0.45650Fr. 2’282.50
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 0.48614
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 0.52552